В ходе выставки MWC 2019 компания Samsung Electronics сообщила, что уже отгрузила более 36 000 базовых станций 5G и объявила о завершении разработки нового поколения элементной базы для оборудования 5G mmWave — радиочастотных интегральных микросхем (RFIC, на верхнем снимке) и интегральных микросхемы цифро-аналогового интерфейса (DAFE, на нижнем снимке) с поддержкой диапазонов 28 ГГц и 39 ГГц.
Для достижения сверхвысоких скоростей передачи данных базовые станции 5G, работающие в спектре mmWave, используют под тысячу антенных элементов и несколько RFIC. Новые микросхемы RFIC, представленные Samsung, изготавливаются по 28-нанометровой технологии CMOS, а их полоса пропускания расширена с 800 МГц до 1,4 ГГц.
По словам Samsung, применение указанных микросхем, являющихся ключевыми компонентами чипсета 5G, обеспечивают уменьшение размеров, массы и энергопотребления базовых станций 5G примерно на 25% по сравнению с предыдущей итерацией.
Позже в этом году Samsung планирует представить решения для диапазонов 24 ГГц и 47 ГГц, что позволит расширить охват рынков.
