Исследовательская группа из университета Кобэ (Kobe University), Япония, разработала технологию, позволяющую создавать устройства хранения информации, способные обеспечить сохранность записанных в них данных на протяжении одной тысячи лет. Кроме этого, чипы такой памяти имеют показатель плотности записи информации, сопоставимые с аналогичным показателем современных жестких дисков.
Работа памяти нового типа основана на технологии создания металлических наноточек, расположенных в местах пересечения линий выбора адреса и бита, сформированных на кремниевой подложке. Наличие наноточки влияет на значение электрической емкости между двумя проводниками, и измеренное значение этой емкости можно превратить в значение логической 1 или 0.
Поскольку данные кодируются при помощи металлических частиц, вся эта технология является стойкой по отношению к температуре, давлению и временной деградации. А если запечатать чип памяти в защитную оболочку, то данные на этом чипе могут храниться в течение очень долгого периода времени. Специальные элементы на чипе позволят ему получать энергию, передаваемую беспроводным путем, а чтение информации также будет производиться при помощи беспроводных технологий.
В качестве демонстрации японские исследователи предоставили опытный образец чипа памяти, который имеет четыре информационных слоя. Этот чип был изготовлен при помощи стандартной 180-нанометровой CMOS-технологии, при этом, показатель плотности записи информации составил 10 Гбит на квадратный дюйм. Но если при изготовлении чипов памяти использовать 14-нанометровую технологию и увеличить количество информационных слоев до семи, то можно получить показатель плотности, равный 1 Тбит на квадратный дюйм.
Скорость чтения информации с опытного кристалла невелика и составляет около 40 килобит в секунду. Но ее можно будет поднять в будущем при помощи более быстродействующих аналого-цифровых преобразователей и других электронных компонентов.
Естественно, что проверка времени хранения информации производилась учеными при помощи технологии ускоренной временной деградации под воздействием высокой температуры. Этот метод дает несколько приблизительный результат, но и эти приблизительные результаты показали, что срок хранения информации составит не менее одной тысячи лет.
